Faculté de physique et ingénierie

Dépôts de couches minces

  • Cours (CM) -
  • Cours intégrés (CI) -
  • Travaux dirigés (TD) -
  • Travaux pratiques (TP) 24h
  • Travail étudiant (TE) -

Langue de l'enseignement : Français

Description du contenu de l'enseignement

  • Couches minces MIS
Réalisation en salle blanche de condensateurs de type métal/isolant/semiconducteur (MIS) et caractérisation de ces condensateurs.
Une première séance de 4h en salle blanche permet de se familiariser avec la lithographie et de caractériser les substrats utilisés par la suite (épaisseur d’oxyde et dopage).
Une seconde séance de 8h en salle blanche est réservée à l’élaboration des capacités MIS utilisant de nombreuses étapes de lithographie standard. Chaque étape est validée par l’observation (microscopie en champ clair/sombre) et la mesure (profilométrie) des paramètres principaux.
Enfin, une dernière séance de 4h est dévolue à la mesure des caractéristiques (C-V) des capacités MIS. En s’appuyant sur les connaissances acquises lors des cours et TD sur ce type de composants, les étudiants devront retrouver, par l’exploitation des caractéristiques, les paramètres mesurés lors des deux séances en salle blanche.
  • Jonctions tunnel magnétique
Préparation d'une jonction tunnel magnétique par technique PLD et préparation de couches minces métalliques par technique d'évaporation.

Compétences à acquérir

  • Acquérir un savoir-faire expérimental autour de la réalisation de composants électroniques simples dans un environnement de salle blanche. Confronter mesures expérimentales et paramètres extraits de caractéristiques électriques de ces composants.
  • Utilisation de matériel de recherche pour l’élaboration et la caractérisation de dispositifs élémentaires.

Bibliographie, lectures recommandées

S.M. Sze « Semiconductor devices, physics and technology » (MOS diode)

Contact

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3-5, rue de l'Université
67084 STRASBOURG CEDEX

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Intervenants


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