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Master

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La page que vous consultez correspond à l'offre de formation 2023-2024.

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Modèles compacts pour MOS avancés

  • Cours (CM) 14h
  • Cours intégrés (CI) -
  • Travaux dirigés (TD) -
  • Travaux pratiques (TP) -
  • Travail étudiant (TE) -

Langue de l'enseignement : Français

Description du contenu de l'enseignement

  • Rappels de physique des composants élémentaires (jonctions, capacité MOS, MOSFET)
  • Étude des principaux effets physiques dans les technologies CMOS avancées.
  • Étude critique des principaux modèles compacts du TMOS dédiés à la conception.
  • Extraction de paramètres & méthodologie associée.
  • Aspects statistiques : Étude du " matching ” - Statistique des paramètres
  • Le transistor MOSFET de puissance (aspects technologie et modélisation)

Compétences à acquérir

1. Disciplinaires
  • Savoir expliquer la technologie MOSFET et les effets associés liés à la réduction des dimensions.
  • Savoir choisir le modèle compact de MOSFET le plus adapté pour la conception d’un circuit spécifique.

2. Transversales
  • Savoir rechercher des informations et faire preuve d’analyse critique
  • Savoir planifier son travail en pleine autonomie.

Contact

Faculté de physique et ingénierie

3-5, rue de l'Université
67084 STRASBOURG CEDEX

Formulaire de contact

Responsable

Christophe Lallement


MASTER - Physique appliquée et ingénierie physique

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